技術指標
◆測量方式:射頻電容,采用16位單片機來校正頻率和電容之間的非線性 ◆電 源:24V.DC±10% ◆精 度:0.5%FS ◆測量介質:相對介電常數ε>1.6 ◆功 耗:≤3W ◆電氣接口:M20×1.5 ◆防護等級:IP65 ◆防爆等級:dⅡCT4 ◆儀表外殼:鋁合金隔爆型,可用于潮濕、腐蝕等惡劣環境 |
◆外殼尺寸:
DLT9080 110×150×132 DLT9070 140×220×80(變送部分) 100×100×60(測量部分) ◆輸 出:4~20mA(二線制、三線制),HART協議 ◆環境溫度:-30~70℃ ◆環境濕度:0~95%RH ◆過程溫度:-40~220℃ ◆過程壓力:-0.1~4.0MPa ◆測量范圍:0~1000pF |
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